logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
محصولات
محصولات
خونه > محصولات > ROHM UTC ICS > ترانزیستور اثر میدان MOS کانال P با کیفیت بالا 32A 40V TO-252 RU40L10L

ترانزیستور اثر میدان MOS کانال P با کیفیت بالا 32A 40V TO-252 RU40L10L

جزئیات محصول

محل منبع: گوانگدونگ، چین

نام تجاری: Original Brand

شماره مدل: RU40L10L

شرایط پرداخت و حمل و نقل

مقدار حداقل تعداد سفارش: 10 تکه

قیمت: $0.13/pieces 10-99 pieces

جزئیات بسته بندی: بسته استاندارد

قابلیت ارائه: 225779 قطعه/قطعه در روز

بهترین قیمت رو بدست بیار
برجسته کردن:
نوع:
ترانزیستور اثر میدان، تراشه های IC
دمای کار:
-، -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب:
-، نصب سطحی
توضیحات:
ترانزیستورها
D/C:
جدید
نوع بسته بندی:
سوراخ عبوری
درخواست:
الکترونیکی
نوع تامین کننده:
تولید کننده اصلی، ODM، آژانس، خرده فروشی
رسانه در دسترس است:
برگه اطلاعات، عکس
برند:
جدید
فعلی - گردآورنده (IC) (حداکثر):
جدید
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر):
جدید
اشباع Vce (حداکثر) @ Ib، Ic:
جدید
فعلی - برش جمع کننده (حداکثر):
جدید
افزایش جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce:
جدید
قدرت - حداکثر:
جدید
فرکانس - انتقال:
جدید
بسته بندی / کیس:
- ، TO-252-3
مقاومت - پایه (R1):
جدید
مقاومت - پایه امیتر (R2):
جدید
نوع FET:
جدید
ویژگی FET:
جدید
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss):
-، 700 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
- 8.5A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:
- 600mOhm @ 1.8A، 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID:
جدید
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:
- 10.5nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:
-، 364pF @ 400V
فرکانس:
جدید
رتبه فعلی (آمپر):
جدید
شکل سر و صدا:
جدید
توان خروجی:
جدید
ولتاژ - نامی:
جدید
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن):
جدید
Vgs (حداکثر):
جدید
نوع IGBT:
جدید
پیکربندی:
جدید
Vce(on) (Max) @ Vge، Ic:
جدید
ظرفیت ورودی (Cies) @ Vce:
جدید
ورودی:
جدید
ترمیستور NTC:
-
ولتاژ - خرابی (V(BR)GSS):
جدید
جریان - تخلیه (Idss) @ Vds (Vgs=0):
جدید
تخلیه فعلی (شناسه) - حداکثر:
جدید
ولتاژ - قطع (VGS خاموش) @ ID:
جدید
مقاومت - RDS(روشن):
جدید
ولتاژ:
جدید
ولتاژ - خروجی:
جدید
ولتاژ - افست (Vt):
جدید
جریان - نشت دروازه به آند (Igao):
جدید
فعلی - دره (IV):
جدید
فعلی - اوج:
جدید
درخواست ها:
جدید
نوع ترانزیستور:
ترانزیستور قدرت mrf150 rf
شماره بخش:
RU40L10L
کد تاریخ:
جدیدترین
نام ماده:
RU40L10L TO-252
شرایط:
جدید و اصلی
عرضه نمونه:
در دسترس است
جزئیات بیشتر:
با ما تماس بگیرید
وضعیت بدون سرب:
FreePB سرب
بندر:
شنژن
نوع:
ترانزیستور اثر میدان، تراشه های IC
دمای کار:
-، -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب:
-، نصب سطحی
توضیحات:
ترانزیستورها
D/C:
جدید
نوع بسته بندی:
سوراخ عبوری
درخواست:
الکترونیکی
نوع تامین کننده:
تولید کننده اصلی، ODM، آژانس، خرده فروشی
رسانه در دسترس است:
برگه اطلاعات، عکس
برند:
جدید
فعلی - گردآورنده (IC) (حداکثر):
جدید
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر):
جدید
اشباع Vce (حداکثر) @ Ib، Ic:
جدید
فعلی - برش جمع کننده (حداکثر):
جدید
افزایش جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce:
جدید
قدرت - حداکثر:
جدید
فرکانس - انتقال:
جدید
بسته بندی / کیس:
- ، TO-252-3
مقاومت - پایه (R1):
جدید
مقاومت - پایه امیتر (R2):
جدید
نوع FET:
جدید
ویژگی FET:
جدید
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss):
-، 700 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
- 8.5A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:
- 600mOhm @ 1.8A، 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID:
جدید
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:
- 10.5nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:
-، 364pF @ 400V
فرکانس:
جدید
رتبه فعلی (آمپر):
جدید
شکل سر و صدا:
جدید
توان خروجی:
جدید
ولتاژ - نامی:
جدید
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن):
جدید
Vgs (حداکثر):
جدید
نوع IGBT:
جدید
پیکربندی:
جدید
Vce(on) (Max) @ Vge، Ic:
جدید
ظرفیت ورودی (Cies) @ Vce:
جدید
ورودی:
جدید
ترمیستور NTC:
-
ولتاژ - خرابی (V(BR)GSS):
جدید
جریان - تخلیه (Idss) @ Vds (Vgs=0):
جدید
تخلیه فعلی (شناسه) - حداکثر:
جدید
ولتاژ - قطع (VGS خاموش) @ ID:
جدید
مقاومت - RDS(روشن):
جدید
ولتاژ:
جدید
ولتاژ - خروجی:
جدید
ولتاژ - افست (Vt):
جدید
جریان - نشت دروازه به آند (Igao):
جدید
فعلی - دره (IV):
جدید
فعلی - اوج:
جدید
درخواست ها:
جدید
نوع ترانزیستور:
ترانزیستور قدرت mrf150 rf
شماره بخش:
RU40L10L
کد تاریخ:
جدیدترین
نام ماده:
RU40L10L TO-252
شرایط:
جدید و اصلی
عرضه نمونه:
در دسترس است
جزئیات بیشتر:
با ما تماس بگیرید
وضعیت بدون سرب:
FreePB سرب
بندر:
شنژن
ترانزیستور اثر میدان MOS کانال P با کیفیت بالا 32A 40V TO-252 RU40L10L

شرکت فناوری شنتزین Qingfengyuan Co. Ltd.

به شرکت ما خوش آمدید! ما منبع همه در یک برای قطعات الکترونیکی هستیم. تخصص ما در ارائه طیف گسترده ای از قطعات الکترونیکی برای پاسخگویی به نیازهای متنوع شما است.ما پيشنهاد ميديم:- نیمه هادی ها: میکروکنترلرها، ترانزیستورها، دیودها، مدارهای یکپارچه (IC) - اجزای منفعل: مقاومت ها، خازن ها، محرک ها، کانکتورها - اجزای الکترومکانیکی: سوئیچ ها،رله ها، دستگاه های محرک سنسور - منابع برق: تنظیم کننده ولتاژ، کنورتر قدرت، مدیریت باتری - اپتو الکترونیک: ال ای دی، لیزر، فوتودیود، سنسورهای نوری - قطعات RF و بی سیم: ماژول های RF,آنتن ها، ارتباطات بی سیم - سنسورها: سنسورهای دمایی، سنسورهای حرکتی، سنسورهای محیطی.
ترانزیستور اثر میدان MOS کانال P با کیفیت بالا 32A 40V TO-252 RU40L10L 0

نوع: مدارهای یکپارچه اجزای الکترونیکی
DC22+
مقدار: 1pc
بسته بندی: استاندارد
طیف وسیعی از تراشه های کاربردی گسترده است و بسیاری از زمینه های کاربردی مختلف مانند ارتباطات، پردازش تصویر، کنترل سنسور، پردازش صوتی، مدیریت انرژی و موارد دیگر را پوشش می دهد.
نوع تراشه اي که داريم



مدارهای یکپارچه قطعات الکترونیکی
IC های مقایسه کننده
رمزگذاری کننده- رمزگشایی کننده
آی سی های لمسی
IC های مرجع ولتاژ
تقویت کننده
بازنشستن IC کشنده
IC تقویت کننده قدرت
IC پردازش مادون قرمز
تراشه رابط
تراشه بلوتوث
بوست و بِک چیپس
تراشه های پایه زمان
تراشه های ارتباطی ساعت
IC گیرنده
IC RF بی سیم
مقاومت تراشه
تراشه ی ذخیره 2
تراشه اترنت
مدارهای یکپارچه قطعات الکترونیکی
ترانزیستور اثر میدان MOS کانال P با کیفیت بالا 32A 40V TO-252 RU40L10L 1
ترانزیستور اثر میدان MOS کانال P با کیفیت بالا 32A 40V TO-252 RU40L10L 2
ترانزیستور اثر میدان MOS کانال P با کیفیت بالا 32A 40V TO-252 RU40L10L 3
ترانزیستور اثر میدان MOS کانال P با کیفیت بالا 32A 40V TO-252 RU40L10L 4
ترانزیستور اثر میدان MOS کانال P با کیفیت بالا 32A 40V TO-252 RU40L10L 5