برجسته کردن:
نوع: |
IC CHIP، ترانزیستور اثر میدانی، ترانزیستور IGBT |
دمای کار: |
-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ) |
سری: |
/ |
نوع نصب: |
از طریق سوراخ |
توضیحات: |
/ |
D/C: |
22+ |
نوع بسته بندی: |
سوراخ عبوری |
درخواست: |
ترانزیستور irf |
نوع تامین کننده: |
سایر |
مرجع متقابل: |
جدید |
رسانه در دسترس است: |
سایر |
برند: |
MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB |
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر): |
، |
اشباع Vce (حداکثر) @ Ib، Ic: |
، |
افزایش جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: |
، |
بسته بندی / کیس: |
TO-220-3 |
مقاومت - پایه (R1): |
، |
مقاومت - پایه امیتر (R2): |
، |
نوع FET: |
کانال پی |
ویژگی FET: |
استاندارد |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): |
200 ولت |
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد: |
11A (Tc) |
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs: |
500 میلی اهم @ 6.6 آمپر، 10 ولت |
Vgs(th) (حداکثر) @ ID: |
4 ولت @ 250uA |
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs: |
44nC @ 10V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds: |
1200pF @ 25V |
فرکانس: |
، |
رتبه فعلی (آمپر): |
، |
شکل سر و صدا: |
، |
توان خروجی: |
، |
ولتاژ - نامی: |
، |
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن): |
10 ولت |
Vgs (حداکثر): |
± 20 ولت |
نوع IGBT: |
، |
پیکربندی: |
/ |
Vce(on) (Max) @ Vge، Ic: |
، |
ظرفیت ورودی (Cies) @ Vce: |
، |
ورودی: |
، |
ترمیستور NTC: |
، |
ولتاژ - خرابی (V(BR)GSS): |
، |
جریان - تخلیه (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
، |
تخلیه فعلی (شناسه) - حداکثر: |
، |
ولتاژ - قطع (VGS خاموش) @ ID: |
/ |
مقاومت - RDS(روشن): |
، |
ولتاژ: |
، |
ولتاژ - خروجی: |
، |
ولتاژ - افست (Vt): |
، |
جریان - نشت دروازه به آند (Igao): |
، |
فعلی - دره (IV): |
، |
فعلی - اوج: |
، |
درخواست ها: |
، |
نوع ترانزیستور: |
ترانزیستور قدرت mrf150 rf |
بندر: |
شنژن |
ترانزیستور جدید و اصلی 55 ولت 75 آمپر IRF1405 Irf1405pbf
پیام شما باید بین 20 تا 3000 کاراکتر باشد!