برجسته کردن:
نوع: |
دیگر، ترانزیستور اتصال دوقطبی، ترانزیستور IGBT |
دمای کار: |
-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ) |
سری: |
/ |
نوع نصب: |
ارتفاع سطح |
توضیحات: |
/ |
D/C: |
/ |
نوع بسته بندی: |
ارتفاع سطح |
درخواست: |
/ |
نوع تامین کننده: |
سایر |
مرجع متقابل: |
استاندارد |
رسانه در دسترس است: |
سایر |
برند: |
MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23 |
فعلی - گردآورنده (IC) (حداکثر): |
/ |
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر): |
/ |
اشباع Vce (حداکثر) @ Ib، Ic: |
/ |
فعلی - برش جمع کننده (حداکثر): |
/ |
افزایش جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: |
/ |
قدرت - حداکثر: |
/ |
فرکانس - انتقال: |
/ |
بسته بندی / کیس: |
TO-236-3، SC-59، SOT-23-3 |
مقاومت - پایه (R1): |
/ |
مقاومت - پایه امیتر (R2): |
/ |
نوع FET: |
کانال N |
ویژگی FET: |
/ |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): |
30 ولت |
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد: |
4A (Ta) |
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs: |
55 میلی اهم @ 4 آمپر، 10 ولت |
Vgs(th) (حداکثر) @ ID: |
1.4 ولت @ 250UA |
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs: |
4.34nC @ 4.5V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds: |
390pF @ 15V |
فرکانس: |
/ |
رتبه فعلی (آمپر): |
/ |
شکل سر و صدا: |
/ |
توان خروجی: |
/ |
ولتاژ - نامی: |
/ |
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن): |
2.5 ولت، 10 ولت |
Vgs (حداکثر): |
± 12 ولت |
نوع IGBT: |
/ |
پیکربندی: |
NA |
Vce(on) (Max) @ Vge، Ic: |
/ |
ظرفیت ورودی (Cies) @ Vce: |
/ |
ورودی: |
/ |
ترمیستور NTC: |
/ |
ولتاژ - خرابی (V(BR)GSS): |
/ |
جریان - تخلیه (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
تخلیه فعلی (شناسه) - حداکثر: |
/ |
ولتاژ - قطع (VGS خاموش) @ ID: |
/ |
مقاومت - RDS(روشن): |
/ |
ولتاژ: |
/ |
ولتاژ - خروجی: |
/ |
ولتاژ - افست (Vt): |
/ |
جریان - نشت دروازه به آند (Igao): |
/ |
فعلی - دره (IV): |
/ |
فعلی - اوج: |
/ |
درخواست ها: |
/ |
نوع ترانزیستور: |
ترانزیستور قدرت mrf150 rf |
بندر: |
شينزين |
ترانزیستور SMD MOSFET N-Channel Sot-23 30V 4A AO3402A AO3402 برای فهرست Bom
پیام شما باید بین 20 تا 3000 کاراکتر باشد!