دسته بندی: |
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور JFET |
نوع FET: |
کانال N |
وضعیت محصول: |
فعال |
ولتاژ - خرابی (V(BR)GSS): |
35 V |
نوع نصب: |
از طریق سوراخ |
بسته بندی: |
کیسه |
سری: |
- |
جریان - تخلیه (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
20 میلی آمپر @ 15 ولت |
مفر: |
NTE Electronics, Inc |
ولتاژ - قطع (VGS خاموش) @ ID: |
3 V @ 1 A |
بسته دستگاه تامین کننده: |
TO-92 |
بسته بندی / کیس: |
TO-226-3، TO-92-3 (TO-226AA) |
قدرت - حداکثر: |
625 مگاوات |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds: |
- |
مقاومت - RDS(روشن): |
30 اهم |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): |
35 V |
دمای کار: |
-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ) |
دسته بندی: |
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور JFET |
نوع FET: |
کانال N |
وضعیت محصول: |
فعال |
ولتاژ - خرابی (V(BR)GSS): |
35 V |
نوع نصب: |
از طریق سوراخ |
بسته بندی: |
کیسه |
سری: |
- |
جریان - تخلیه (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
20 میلی آمپر @ 15 ولت |
مفر: |
NTE Electronics, Inc |
ولتاژ - قطع (VGS خاموش) @ ID: |
3 V @ 1 A |
بسته دستگاه تامین کننده: |
TO-92 |
بسته بندی / کیس: |
TO-226-3، TO-92-3 (TO-226AA) |
قدرت - حداکثر: |
625 مگاوات |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds: |
- |
مقاومت - RDS(روشن): |
30 اهم |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): |
35 V |
دمای کار: |
-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ) |