دسته بندی: |
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور JFET |
نوع FET: |
کانال N |
وضعیت محصول: |
فعال |
ولتاژ - خرابی (V(BR)GSS): |
30 ولت |
نوع نصب: |
ارتفاع سطح |
بسته بندی: |
عمده |
سری: |
نظامی، MIL-PRF-19500/385 |
جریان - تخلیه (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
50 میلی آمپر @ 15 ولت |
مفر: |
فناوری ریزتراشه |
ولتاژ - قطع (VGS خاموش) @ ID: |
4 ولت @ 500 pA |
بسته دستگاه تامین کننده: |
UB |
بسته بندی / کیس: |
3-SMD، بدون سرب |
قدرت - حداکثر: |
360 مگاوات |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds: |
18pF @ 10V |
مقاومت - RDS(روشن): |
25 اهم |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): |
30 ولت |
دمای کار: |
-65 درجه سانتی گراد ~ 200 درجه سانتی گراد (TJ) |
دسته بندی: |
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور JFET |
نوع FET: |
کانال N |
وضعیت محصول: |
فعال |
ولتاژ - خرابی (V(BR)GSS): |
30 ولت |
نوع نصب: |
ارتفاع سطح |
بسته بندی: |
عمده |
سری: |
نظامی، MIL-PRF-19500/385 |
جریان - تخلیه (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
50 میلی آمپر @ 15 ولت |
مفر: |
فناوری ریزتراشه |
ولتاژ - قطع (VGS خاموش) @ ID: |
4 ولت @ 500 pA |
بسته دستگاه تامین کننده: |
UB |
بسته بندی / کیس: |
3-SMD، بدون سرب |
قدرت - حداکثر: |
360 مگاوات |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds: |
18pF @ 10V |
مقاومت - RDS(روشن): |
25 اهم |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): |
30 ولت |
دمای کار: |
-65 درجه سانتی گراد ~ 200 درجه سانتی گراد (TJ) |