جزئیات محصول
شرایط پرداخت و حمل و نقل
توضیحات: JFET N-CH 40V UB
| دسته بندی: | محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور JFET | نوع FET: | کانال N | وضعیت محصول: | فعال | ولتاژ - خرابی (V(BR)GSS): | 40 ولت | نوع نصب: | ارتفاع سطح | بسته بندی: | نوار و رول (TR) | سری: | نظامی، MIL-PRF-19500/431 | جریان - تخلیه (Idss) @ Vds (Vgs=0): | 8 میلی آمپر @ 20 ولت | مفر: | تکنولوژی میکروچیپ | بسته دستگاه تامین کننده: | UB | بسته بندی / کیس: | 3-SMD، بدون سرب | قدرت - حداکثر: | 360 مگاوات | ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds: | 16pF @ 20V | مقاومت - RDS(روشن): | 80 اهم | تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): | 40 ولت | دمای کار: | -65 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ) | 
| دسته بندی: | محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور JFET | 
| نوع FET: | کانال N | 
| وضعیت محصول: | فعال | 
| ولتاژ - خرابی (V(BR)GSS): | 40 ولت | 
| نوع نصب: | ارتفاع سطح | 
| بسته بندی: | نوار و رول (TR) | 
| سری: | نظامی، MIL-PRF-19500/431 | 
| جریان - تخلیه (Idss) @ Vds (Vgs=0): | 8 میلی آمپر @ 20 ولت | 
| مفر: | تکنولوژی میکروچیپ | 
| بسته دستگاه تامین کننده: | UB | 
| بسته بندی / کیس: | 3-SMD، بدون سرب | 
| قدرت - حداکثر: | 360 مگاوات | 
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds: | 16pF @ 20V | 
| مقاومت - RDS(روشن): | 80 اهم | 
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): | 40 ولت | 
| دمای کار: | -65 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ) |